Урок 13 Домішкова провідність напівпровідників. Електронно-дірковий перехід

Мета: сформувати в учнів розуміння домішкової провідності напівпровідників, ролі донорних і акцепторних домішок та механізму виникнення електронно-діркового переходу. Сформувати уявлення про пряме і зворотне ввімкнення p-n-переходу та пояснити причини однобічної провідності напівпровідникових пристроїв. Показати практичне застосування цих фізичних явищ на прикладі напівпровідникового діода, світлодіода.

Компоненти ключових компетентностей:

• уміння – у результаті вивчення теми учні повинні вміти пояснювати механізм домішкової провідності напівпровідників, розрізняти донорні та акцепторні домішки й описувати утворення електронно-діркового переходу. Учні мають уміти аналізувати пряме та зворотне ввімкнення p-n-переходу й робити висновки щодо однобічної провідності напівпровідникових приладів. Також вони повинні вміти наводити приклади застосування напівпровідникових явищ у діодах, світлодіодах.

• ставлення – сформувати в учнів усвідомлення значущості напівпровідникових явищ для розвитку сучасної науки й технологій та їх ролі в повсякденному житті людини. Виховувати зацікавленість у вивченні фізики, відповідальне ставлення до використання електронних пристроїв і розуміння зв’язку теоретичних знань з практичними застосуваннями.

Навчальні ресурси: підручник з фізики, навчальна презентація, відеоматеріали, демонстраційні прилади.

Тип уроку: вивчення нового матеріалу.

Можливі труднощі: у учнів можуть виникати труднощі з уявленням мікроскопічних процесів у кристалі напівпровідника, зокрема руху електронів і «діркової» провідності, оскільки ці явища не мають наочного спостереження. Також складним може бути розуміння механізму утворення p-n-переходу, відмінності між прямим і зворотним ввімкненням та причин однобічної провідності напівпровідникових приладів.